|
科技日报讯 （记者俞慧友 通讯员褚兴科 王丽）出资160亿元、占地面积1000亩的湖南省首个第三代半导体工业园及国内首条碳化硅研制出产全工业链出产线日，记者从长沙高新区得悉，三安半导体项目最大单体M2B芯片厂房封顶，占地23206平方米、建筑面积52326平方米、钢构大屋面面积16500平方米。
建造方中建五局三公司介绍,该项目首要包括碳化硅长晶、衬底、外延、芯片、器材封装等厂房及相关配套设备建造。项目全面建成投产后，将构成碳化硅研制和出产全工业链两条出产线，出产可广泛用于新能源轿车、高铁机车、航空航天和无线G）通讯等的高质量、低成本、高稳定性碳化硅衬底及各类器材。悉数建成后估计可完成年产量120亿元以上，并可带动上下游配套工业产量估计超1000亿元。
“项目首要服务于技能密集型的半导体工业。半导体出产对空气洁净度有高要求。此次建造的芯片厂房达‘百级’洁净度。”中建五局三公司项目负责人周祥说。
所谓“百级”洁净，即每立方英尺空气中粒径大于等于0.5微米的粒子数量不超越100个，堪比最高洁净等级手术室规范。项目技能负责人陆建臻表明，为确保“百级”洁净，芯片厂房选用华夫板（使用楼板内孔洞构成回风通道的楼板）高精度施工，并树立洁净空调通风体系构成回风通道。芯片厂房华夫板厚度70厘米，可抗微震；华夫板面积达1410平方米，其间浇筑有35000个直径35厘米的奇氏筒，相当于每2平方米就有5个用于换气的圆形孔洞。到时，芯片产线布置于华夫板上，整车间使用新风体系进气确保正压，并经过华夫板回风通道排气，终究确保车间洁净度。
|
集团OA 
